单源聚合物先驱体法制备SiC基复相陶瓷的研究进展

摘要

在碳化硅(SiC)陶瓷中引入异质元素可赋予其更优异的性能,如良好的热稳定性和独特的电磁性能。采用单源聚合物先驱体法制备陶瓷,通过合成不同结构的单源聚合物先驱体,可在原子尺度设计、调控陶瓷的组成和微结构等方面,达到优化陶瓷性能的目的。根据近年来的研究成果,介绍了单源聚合物先驱体制备Si-B-C、Si-M-C(M=Ti,Zr,Hf)和Si-M-C(M=Fe,Ni)复相陶瓷的研究动态,并展望了其今后的发展趋势。