用聚碳硅烷为先驱体制备SiC/Si_3N_4纳米复相陶瓷

摘要

采用聚碳硅烷（ＰＣＳ）为先驱体，利用原位生长法制备ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４ 纳米复相陶瓷，其室温弯曲强度和断裂韧性达到了６３７ ＭＰａ 和８．１０ ＭＰａ·ｍ １／２。研究了材料微观结构的形成及断裂机理，指出在微观结构的形成过程中，控制ＳｉＣ纳米微晶的生成和β－Ｓｉ３Ｎ４ 柱状晶的生长是关键，而增韧补强的主要原因在于形成了晶内型结构和长径比大（大于７．５）的Ｓｉ３Ｎ４ 柱状晶，从而改变了断裂机理。