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【2h】

Preparation of SiC-based composites containing transition metals by a single-source polymer derived ceramic route

机译:通过单源聚合物衍生的陶瓷路线制备含过渡金属的SiC基复合材料

摘要

碳化硅(SiC)陶瓷具有高强高模、耐高温、低密度、抗腐蚀、抗氧化等优异的物理与化学性能,在信息、机械、能源、航空航天等领域有着广泛的应用,更被认定为21世纪航空航天领域最有前景的材料。目前,聚合物先驱体陶瓷(PDC)法是制备SiC陶瓷的主要方法,而聚碳硅烷(PCS)作为PDC法制备SiC陶瓷的先驱体被广泛研究。随着科技的进步,各应用领域对SiC陶瓷的性能提出了更高要求,目前,制备高性能SiC陶瓷的主要方法是在聚碳硅烷中引入异质元素。因此,为了制备性能更加优异的SiC陶瓷,关键在于含异质元素聚碳硅烷的合成。 本文通过聚合物路径法和单体路径法合成了一系列含过渡金属元素(Fe、Ti)的聚碳硅烷,再...
机译:碳化硅(SiC)陶瓷具有高强高模、耐高温、低密度、抗腐蚀、抗氧化等优异的物理与化学性能,在信息、机械、能源、航空航天等领域有着广泛的应用,更被认定为21世纪航空航天领域最有前景的材料。目前,聚合物先驱体陶瓷(PDC)法是制备SiC陶瓷的主要方法,而聚碳硅烷(PCS)作为PDC法制备SiC陶瓷的先驱体被广泛研究。随着科技的进步,各应用领域对SiC陶瓷的性能提出了更高要求,目前,制备高性能SiC陶瓷的主要方法是在聚碳硅烷中引入异质元素。因此,为了制备性能更加优异的SiC陶瓷,关键在于含异质元素聚碳硅烷的合成。 本文通过聚合物路径法和单体路径法合成了一系列含过渡金属元素(Fe、Ti)的聚碳硅烷,再...

著录项

  • 作者

    杨乐;

  • 作者单位
  • 年度 2013
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 zh_CN
  • 中图分类

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