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张峰源; 刘凡宇; 李博; 李彬鸿; 张旭; 罗家俊; 韩郑生; 张青竹;
中国科学院微电子研究所;
北京100029;
中国科学院大学电子电气与通信工程学院;
北京100049;
中国科学院硅器件技术重点实验室;
绝缘体上鳍(FOI); 鳍式场效应晶体管(FinFET); 电流模型; 背栅偏置; 耦合效应; 耦合系数;
机译:考虑背栅偏置和工艺变化的仅三参数MOSFET亚阈值电流CAD模型
机译:高度稳定,低功耗FinFET SRAM单元,具有利用动态背栅偏置
机译:FinFET技术中具有背栅偏置的低泄漏,高可写SRAM单元
机译:带背栅偏置调制的FOI FinFET的电流模型
机译:取决于Fin形状和TSV以及3D集成电路中背栅噪声耦合的FinFET电性能仿真。
机译:Ω栅双多晶硅FinFET非易失性存储器的制造表征和仿真
机译:采用浅沟槽隔离的深亚微米VLsI CmOs器件的闭合背栅偏置相关反向窄通道效应模型
机译:FinFET技术中单事件机制分析的时空考虑。
机译:FinFET SRAM单元中背栅偏置的动态控制
机译:带偏置背栅偏置的升压电路
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