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共源共栅电流偏置结构及电流偏置电路和SUB-BGR

摘要

本发明公开了一种共源共栅电流偏置结构,包括:第一MOS和第二MOS第一端相连作为该电流偏置结构第一端,第一MOS第二端连接第四MOS第一端,第二MOS作为该电流偏置结构第二端,第三MOS第二端、第六MOS第二端、第三MOS第三端、第四MOS第三端相连作为该电流偏置结构第三端,第四MOS第二端、第五MOS第二端、第五MOS第三端和第六MOS第三端相连,第五MOS第一端、第七MOS第一端、第七MOS第三端和第八MOS第三端作为该电流偏置结构第四端,第六MOS第一端连接第八MOS第二端,第八MOS第一端连接第九MOS第二端,第七MOS第一端和第九MOS第一端相连作为该电流偏置结构第五端,第九MOS作为第三端该电流偏置结构第五端。本发明还公开了一种电流偏置电路和SUB‑BGR。

著录项

  • 公开/公告号CN109725675A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201811607531.1

  • 发明设计人 张宁;朱轩历;

    申请日2018-12-27

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人焦天雷

  • 地址 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2024-02-19 09:26:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F3/16 申请日:20181227

    实质审查的生效

  • 2019-05-07

    公开

    公开

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