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方春恩; 吕柔睿; 张彼德; 李伟; 刘曦;
西华大学电气与电子信息学院;
成都610039;
SiC; 肖特基二极管; 参数提取; 物理模型; 改进粒子群算法(IPSO);
机译:基于实验性和物理学的肖特基势垒高度不均匀性及影响3C-SiC-on-Si-Sihottky屏障二极管的陷阱研究
机译:基于物理的功率SiC肖特基二极管模型的参数提取过程
机译:与物理现象有关的SiC肖特基势垒二极管的高温特性
机译:SiC上的肖特基势垒二极管的设计与制造。
机译:具有4H-SIC肖特基二极管的60-700 k CTAT和PTAT温度传感器
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量
机译:通过肖特基二极管,pn结二极管的SiC半导体实现的肖特基电极结
机译:SiC宽沟槽型SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法
机译:SiC-具有肖特基二极管的半导体器件-阻挡层二极管
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