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王新中; 于广辉; 李世国; 张春晓;
深圳信息职业技术学院;
深圳518029;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
上海200050;
氮化镓; 纳米线; 镍; 气液固(VLS); 化学气相沉积(CVD);
机译:选择区域生长同质外延生长的GaN纳米线的形成机理
机译:镍辅助金属有机化学气相沉积法生长的GaN纳米线催化剂颗粒的性质和生长机理
机译:在非平面(0001)衬底上尺寸和位置控制的GaN / AlGaN纳米线的选择性分子束外延生长及其生长机理
机译:反向导电机理中漂移层厚度对MOCVD生长的垂直GaN-on-GaN SBD的影响
机译:分析影响ALGaN / GaN HEMT安全运行的故障机理。
机译:ZnO纳米线的生长机理研究:实验观察和短路扩散分析
机译:在非平面(0001)衬底上尺寸和位置受控的GaN / AlGaN纳米线的选择性分子束外延生长及其生长机理
机译:缺陷对GaN纳米线电输运,光学性质和失效机理的影响
机译:通过使用能够将GaN纳米线的垂直生长诱导为固定厚度和生长长度的Au催化剂层来生长GaN纳米线的方法
机译:质量影响因素分析方法,质量预测方法,质量控制方法,质量影响因素分析装置,质量预测装置,质量控制装置,质量影响因素分析系统,质量预测系统,质量控制系统和计算机程序
机译:质量影响因素分析方法,质量预测方法,质量控制方法,质量影响因素分析设备,质量预测设备,质量控制设备,质量影响因素分析系统,质量预测系统,质量控制和质量控制方法
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