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机译:在非平面(0001)衬底上尺寸和位置控制的GaN / AlGaN纳米线的选择性分子束外延生长及其生长机理
Hokkaido Univ, RCIQE, Kita Ku, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan;
Hokkaido Univ, Grad Sch Informat Sci & Technol, Kita Ku, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan;
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; QUANTUM-WIRE STRUCTURES; MBE GROWTH; GAN; ALGAN/GAN; NANOSTRUCTURES; FABRICATION; SURFACES; KINETICS; SIMULATION;
机译:GaAs纳米线在非平面(001)和(111)B衬底上生长的选择性分子束外延生长动力学和理论模型
机译:通过分子束外延对GaN纳米线阵列的GaN纳米线阵列的选择性区域生长的极性控制的GaN / AlN成核层
机译:射频辐射辅助选择性分子束外延在预形成图案的衬底上生长AlGaN / GaN量子线结构
机译:通过分子束外延在GaN单晶衬底上生长同质外延GaN层和GaN / AlGaN多量子阱
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:通过分子束外延在Si(111)衬底上生长GaN纳米壁网络
机译:在非平面(0001)衬底上尺寸和位置受控的GaN / AlGaN纳米线的选择性分子束外延生长及其生长机理