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彭星煜; 古宏伟; 丁发柱; 张腾; 屈飞; 王洪艳;
中国科学院电工研究所应用超导重点实验室;
北京100190;
中国科学院大学;
北京100049;
CdS; 化学水浴法; 沉积温度; 带隙宽度; 薄膜组分;
机译:直接浸没超声模块通过化学浴沉积法生长的CdS薄膜的物理性质
机译:镀液温度,沉积时间和S / Cd比对化学镀液制备的CdS薄膜结构,表面形貌,化学组成和光学性能的影响
机译:沉积时间和温度对空气退火化学浴沉积CdS薄膜光学性能的影响
机译:反应温度对化学沉积CDS薄膜物理性质的影响
机译:通过化学气相沉积法沉积的钌薄膜的生长和表征:增强成核和薄膜性能。
机译:热蒸发法沉积纳米结构化CdS薄膜:衬底温度的影响
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响
机译:混合脉冲化学气相沉积法和原子层沉积法沉积薄膜的方法
机译:通过控制气体流动方向上的温度分布,通过高温化学气相沉积法在多个半导体晶片上形成薄膜
机译:高频等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的形成装置及沉积薄膜的形成
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