水浴温度对化学浴沉积制备的Cd_xZn_(1-x)S薄膜光电性能的影响

摘要

采用氯化镉,氯化锌,硫脲,柠檬酸钠和氨水构成的溶液体系通过化学浴沉积法合成CdxZn1-xS薄膜,采用SEM、EDS、XRD和紫外可见近红外分光光度计等表征手段研究了CdxZn1-xS薄膜的形貌、组分、相结构和光学性能,测试了薄膜的光电流响应曲线进而对薄膜的光电性能进行了分析。结果表明,在65~85℃水浴温度下均可以制备CdxZn1-xS薄膜,随着水浴温度升高,薄膜中Zn的原子比例相对增加,光学带隙增大;制备的薄膜均显示了明显的光电导现象。75℃制备的薄膜的表面最为平整致密,结晶性最好,光学带隙为2.72 e V,光暗电导比为1.20;光源关闭后电流下降过程最快,关闭10 s后电流下降了约69.39%。