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段宇波; 张弓; 庄大明;
清华大学,机械工程系,北京,100084;
CdS薄膜; 化学浴沉积(CBD); 水浴温度;
机译:退火温度对化学浴沉积技术制备的纳米结构CdS薄膜光学性能的影响
机译:沉积时间和温度对空气退火化学浴沉积CdS薄膜光学性能的影响
机译:反应物浓度,浴温和沉积时间对化学浴沉积法制备Cds薄膜性能的影响
机译:温度对无氨化学浴沉积CDS薄膜性能演化的影响
机译:CuInSe(2)薄膜和CuInSe(2)/ CdS薄膜太阳能电池的制备和性能。
机译:带状双吸收层对化学浴沉积PbS / CdS薄膜太阳能电池光伏特性的影响
机译:退火温度对化学浴沉积(CBD)技术在低溶液浓度下沉积Cds薄膜光谱的影响
机译:适用于5至60℃温度范围的水浴黑体:性能目标,设计理念和测试结果
机译:化学浴沉积产生空位缺陷的CdS薄膜的制备方法及上述薄膜的太阳能电池
机译:化学浴沉积(CBD)和氯化镉(CdCl2)热处理制备CdS薄膜
机译:制备纳米尺寸金属氧化物添加剂的方法,该添加剂可降低烧结温度和/或提高陶瓷零件的生产效率,改善机械性能而又不影响陶瓷体,板材或涂层的粉化性能
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