水浴法制备CdS薄膜产生的本征缺陷对光电学性质的影响

摘要

采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响.采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质进行分析,发现CdS薄膜主要存在镉间隙(Cdi)及硫空位(Vs)等本征缺陷,且Vs随CdSO4浓度的降低而逐渐减少.同时,Vs缺陷的减少有利于薄膜透过率的提高,但在一定程度上降低了薄膜的电导率.根据透过率及其相关公式可知,半导体材料中透过率与电导率成e指数反比关系,适当减小薄膜的电导率可以使其透过率得到大幅度的提高,理论解释与实验结果相一致.