脉冲激光沉积制备外延Ni_(0.8)Zn_(0.2)Fe_2O_4薄膜的应变与磁性能研究

摘要

用脉冲激光沉积设备,分别在SrTiO3(001)(STO)和MgO(001)基片上外延生长了单层Ni0.8Zn0.2Fe2O4(NZF)薄膜。经X射线衍射分析,在STO和MgO基片上制备的NZF薄膜均为单一c取向的外延薄膜,由PHI扫描可知薄膜均为四重对称结构。由NZF薄膜的倒易空间图可以计算得到在STO和MgO基片上应变分别为0.0704和-0.0124。分别对不同基片上的NZF薄膜进行磁强计测量可得,在STO基片上沉积的NZF薄膜的面内和面外饱和磁化强度分别为269.6和224.78 emu/cm3,面内和面外的矫顽场分别为2.68×104和4.78×104A/m,在MgO基片上沉积的NZF薄膜的面内和面外饱和磁化强度分别为219.11和180.75 emu/cm3,面内和面外的矫顽场分别为3.46×104和5.32×104A/m。