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王光伟; 郑宏兴; 徐文慧; 杨旭;
天津工程师范大学电子工程学院;
肖特基接触; 肖特基势垒高度; 理想因子; 非单晶界面; 势垒高度不均匀性;
机译:金属半导体肖特基势垒接触的模型
机译:肖特基·巴里尔的密闭接触金属半导体模型
机译:模型紧密接触金属 - 半导体屏障肖特基
机译:过渡金属双硫族化物晶体管中铜掺杂改善了肖特基至欧姆的金属-半导体接触
机译:理解金属/半导体肖特基接触的电性能:块体和纳米级结构中势垒不均匀性和几何形状的影响。
机译:具有低肖特基势垒接触的紫外到红外悬浮金属-半导体-金属介观多层MoS2宽带探测器中的超高光响应性
机译:肖特基接触和外部电容电路的压电半导体纳米线的多物理场模型
机译:采用亚微米肖特基接触的改进InGaas金属 - 半导体 - 金属OE混频器
机译:半导体元件,即肖特基二极管,具有金属化结构,该金属化结构通过肖特基接触与补偿区电连接,并通过欧姆接触与漂移区电连接,其中该结构与另一结构相对布置
机译:具有金属-半导体肖特基接触的肖特基二极管的形成方法
机译:具有金属-绝缘体-半导体接触结构以减少肖特基势垒的金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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