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周飞宇12; 宁旭斌12; Luther Ngwendson12; 肖强12; Ian Deviny12; 戴小平12;
[1]新型功率半导体器件国家重点实验室 湖南株洲412001;
[2]株洲中车时代电气股份有限公司 湖南株洲412001;
绝缘栅双极晶体管(IGBT); 增强型沟槽栅; 通态压降; 关断安全工作区; 功率密度;
机译:优化的沟槽包围台面布局的增强型分栅控制UMOSFET
机译:具有双沟槽栅电极和不同栅氧化层厚度的双沟槽栅发射极开关可控硅(DTG-EST)
机译:基于VDMOS技术的新型浅沟槽平面栅MOSFET结构
机译:3300V HiPak2模块,带有增强型沟槽(TSPT +)IGBT和额定电流高达1800A的场电荷提取二极管
机译:高性能电源管理集成电路的差分共栅技术。
机译:用于CMOS图像传感器应用的全耗尽沟槽固定光敏栅
机译:垂直沟槽隔离技术制造的高性能洗牌电机
机译:用于数据通信的封装增强型光电互连:基于聚合物高度多模波导的高性能单向电光调制器
机译:具有延伸到更深的基于沟槽的源极电极的基于沟槽的交叉栅电极的垂直MOSFET及其形成方法
机译:具有跨过基于沟槽的栅电极并延伸到基于深沟槽的源电极的垂直MOSFET及其形成方法
机译:形成在更深的基于沟槽的源电极内具有基于沟槽的栅电极的垂直MOSFET的方法
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