热压微晶碳化硼材料中子屏蔽性能仿真

摘要

在蒙特卡洛模拟程序中构建三维仿真模型,对热压微晶碳化硼材料的中子屏蔽性能进行模拟仿真。仿真结果表明,碳化硼在材料中的含量直接影响着中子的投射系数,可以通过调整材料中碳化硼的含量,改善中子屏蔽效果;在普通材料的高能中子区和低能中子区添加相同含量的碳化硼,对中子屏蔽性能产生的影响存在差异,高能中子的屏蔽性能优于低能中子的屏蔽性能;中子屏蔽性能也受屏蔽体材料厚度的影响,将碳化硼添加到普通材料中,可以提高屏蔽效果,降低屏蔽材料的厚度,且屏蔽厚度与碳化硼含量之间呈反比。