新颖的可增强功率处理能力的X-波段RF MEMS开关

摘要

介绍了一种可用于射频系统中的微电子机械开关，通过新颖的三层板结构解决了高功率带来的自执行和自锁效应，并且消除了传统三层板结构引入的应力．采用阻抗匹配的方法提高开关结构的射频性能．利用CoventorWare软件模拟了开关结构的机电特性，利用HFSS软件匹配了开关结构并且模拟了射频性能．开关结构的吸合（pull-in）电压模拟结果为26V．在整个X波段，开关“开”态时的回波损耗低于-28dB，插入损耗小于0．25dB；“关”态时的隔离度大于28dB．