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X波段移相器中低弹性系数RF-MEMS开关的研究

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摘要

讨论了一种应用于X波段开关线型移相器中的新型低弹性系数RF-MEMS静电式开关的设计.通过对多臂梁式结构RF-MEMS开关的力学性能和电学性能进行有限元仿真和优化,开关的弹性系数为17.63N/m.在10GHz的工作频率下,此RF-MEMS开关驱动电压为36.5V,移相器的插入损耗小于9dB.

著录项

来源
《传感器与微系统》 |2010年第9期|42-44|共3页
作者
臧法珩; 丁桂甫; 宿智娟;
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作者单位

上海交通大学,微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200240;

上海交通大学,微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200240;

上海交通大学,微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200240;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类移相器、铁氧体移相器;
关键词
射频MEMS; 开关线性移相器; 插入损耗;

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