插入损耗

摘要： 为了提高偏振分束器的消光比,利用混合等离子体波导和条形介质波导之间的非对称定向耦合特性,设计了由两个尺寸不同的硅波导和一个中间输入混合等离子体波导组成的偏振分束器,采用三维时域有限差分法对偏振分束器的结构和性能进行优化。实验结果表明:混合等离子体波导中TE和TM模式的双折射率对比通过介质加载波导增强,可获得超紧凑的结构,实验耦合长度仅有4.6μm;在1.55μm的中心波长处,TE模式的偏振消光比为-38.9 dB,插入损耗为0.5 dB,TM模式的消光比为-34.7 dB,插入损耗为0.45 dB,设计的偏振分束器具有高消光比;在波导制作公差范围内,模式的插入损耗小于2.8 dB,消光比低于-22.5 dB。

摘要： HBM存储器由于超高的存储带宽在大数据、智能计算等领域具有广阔的应用前景。支持超细线宽的硅转接板是实现存储器与芯片间HBM信号互连的主要载体,从HBM1.0到HBM2E,信号速率达到3.2 Gbps,信号完整性问题不容忽视。从HBM颗粒管脚阵列结构出发,分析信号布线和线宽间距极值。建立2层信号线传输模型,提炼频域阻抗分析方法和总串扰计算方法,从频域角度分析结构参数对电性能传输参数的影响,并从时域进行验证。结果显示:HBM信号线宽间距和应小于6.8μm;在应用频点范围内,远硅层信号线阻抗比近硅层信号线阻抗高6~8Ω,3μm线宽的阻抗值更接近于50Ω;线宽和线长是插入损耗敏感参数,间距和布线层对损耗影响较小。针对低频区的固有损耗,线宽影响占主导,针对高频区线损耗,线长影响较大。间距是串扰敏感因素,但受空间限制,间距优化有限,引入地屏蔽线是有效的解决办法。

摘要： 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。

摘要： Wi-Fi(2 401~2 483 MHz)滤波器在移动通信中具有广泛的应用,文章描述了在加速器环境下的核应急信息管理中抗干扰无线通信技术的性能指标。经过仿真及测试结果的分析表明,在有加速器环境的核应急情况下Wi-Fi滤波器可以满足无线通信的畅通。测试结果表明该滤波器具有低的通带插入损耗(小于2.5 dB)、高的带外抑制(大于30 dB)和较大的带宽(82 MHz)。

摘要： 针对微波滤波器对高性能和低成本的应用需求,将薄膜集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺与印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)工艺相结合,设计了一款含有三个传输零点的宽带集总带通滤波器。为提升器件Q值,降低带内损耗并缩小器件尺寸,将滤波器谐振回路的电感以三维电感的形式设置于金属层较厚的PCB基板中,而其他电路结构则被集成在高阻硅基片上,通过倒装焊植球的方式(Flip-Chip Ball Grid Array,FBGA)将高阻硅基芯片键合到基板上。为验证理论的有效性,加工制备了一款N77频段的带通滤波器,其不包括外部管脚的整体尺寸为2.2 mm×3.0 mm,1 dB带宽为918 MHz,带测试板的实测插损为-2.58 dB。测试结果与预期的仿真结果达成一致。

摘要： 为解决测试装置不完善造成电源EMI滤波器插入损耗测量结果的严重失真问题,设计了一款基于同轴传输线结构的同轴探针,用于适配滤波器插针式的引出端。以此探针为基础,设计了一款测试工装,并将此测试工装与同轴“开口线”作为对照组,测试了滤波器样品的插入损耗。数据显示,非同轴结构的同轴“开口线”测试结果存在严重失真,不能满足准确测试的要求;而测试工装所获测试结果与标准数据基本一致。相对而言,同轴测试系统是准确测量插入损耗的解决方案。

摘要： 针对卫星通信、6G通信、物联网技术等射频前端系统对电子元器件高频工作性能的需求,设计了一种工作在W波段的直板型电容式射频(RF)单刀双掷开关。通过优化介电层材料和开关电极之间的空气间隙,降低了插入损耗、提高了隔离度等射频性能指标。利用HFSS电磁仿真软件对开关性能进行了数值模拟计算,仿真结果表明:所设计射频单刀双掷MEMS开关在80~100 GHz范围内,其插入损耗小于1.7 dB,隔离度大于40 dB,开关整体尺寸约为1.6 mm×1.6 mm。此开关能够满足射频系统前端对高频电子元器件的性能需求,在微波测试仪器、新一代通信系统中具有一定的应用价值。

摘要： 为研究不同电镀设备对印制电路板(PCB)外层高速差分线插入损耗的影响,基于脉冲龙门电镀、直流垂直连续电镀和脉冲垂直连续电镀制作了三组不同的PCB样品。先对不同样品的表面铜箔进行了粗糙度测试和形貌表征,最后对样品表层的差分线进行了插入损耗测试。测试结果表明,脉冲垂直连续电镀设备由于同时具备较好的药水循环特点和脉冲电流,制备的表面铜箔具有较小的粗糙度和致密度较高的锥状形貌,可以改善PCB外层差分线的插入损耗。

摘要： 为了抑制微波毫米波卫星通信系统中混频器和功放输出的各种杂散信号,笔者提出一种新型的结构紧凑的射频滤波器设计方案。该滤波器采用平行耦合线与发夹型滤波器结合的微带带通滤波器形式,选取合适的介质板材,根据仿真优化的结构尺寸,进行实物制作加工,然后测试实验结果,经过实验测试与仿真数据的对比,进一步反向优化设计参数。实测结果表明,在微波毫米波卫星通信工作频带内(14.0~14.5 GHz),带内插入损耗小于4 dB,带内回波损耗小于15 dB;在通带外13.05 GHz处的抑制度不小于25 dB;在26.1 GHz处的抑制度不小于10 dB;在28~29 GHz时的抑制度不小于25 dB。

摘要： 本文提出了一种基于非对称三芯光子晶体光纤的宽带模分复用器.该器件主要是由位于光纤中心的可提供基模和高阶模传输的中心纤芯和分别位于中心纤芯两侧的可提供基模传输的2个旁芯构成.根据光耦合理论,在输入端对3个纤芯分别输入LP_(01)模式的光,在传输过程中左旁芯的LP_(01)模式的光将逐步向中心纤芯耦合并转换为LP_(21)模式传输,而右旁芯中的LP_(01)模式的光则逐步耦合并转换为中心纤芯中的LP_(31)模式来传输.通过对光纤结构的优化设计和光纤长度的选择,使得在输出端同时完成旁芯LP_(01)模向中心纤芯LP_(21)和LP_(31)模的最佳转换,从而实现LP_(01)、LP_(21)和LP_(31)3种模式的光在中心纤芯中的复用.反之,若将该器件的输出端用作输入端则可以实现中心纤芯中3种模式的光向3个纤芯的解复用.本文利用有限元法和光束传播法进行了优化设计和仿真,并将光耦合理论与超模理论相结合进行了分析计算,结果表明在1.49—1.63μm的波段下,该器件插入损耗最高为0.72 dB,在中心波长1.55μm处器件插入损耗为最低值0.543 dB,远低于大家普遍采用的1 dB插入损耗的评价标准.较低的插入损耗也为级联型多芯光子晶体光纤模分复用器设计提供了可能.与现有的模分复用方案相比,该器件的集成性更高,受外界影响更小,与多芯空分复用光纤搭配使用,可以更好地提高模式转换效率和模式纯度,降低耦合复杂度,拓展通信容量.

摘要： 印制电路板(PCB)作为传输高速信号的载体,随着信息技术的发展,印制电路板的信号完整性问题日渐突出.插入损耗作为高速PCB产品的关键指标之一,可分为介质损耗、导体损耗及辐射损耗.本文通过对PCB生产中的传输线线长、板材介质损耗、走线设计及STUB长度等损耗因素进行研究,从而给高速印制电路板的设计和生产加工提供参考与建议.

摘要： 对于任意横截面的均匀柱形波导,理论研究了导电板插入对电磁模式传输过程的影响,得出了插入损耗的解析公式.结果表明,导电板插入不会引起模式间的耦合和转换.对于TEM模式,该插入损耗等同于导电板的平面波屏蔽效能.对于TE和TM模式,该插入损耗不同于平面波屏蔽效能,但它们之间的差别仅体现在由于模式波阻抗与平面波波阻抗不一致所导致的反射损耗的差异上,与导电板电导率和尺寸无关.得出了TE和TM模式的插入损耗与平面波屏蔽效能的转换关系.研究结果对扩展导电材料电磁屏蔽效能测试方法——法兰同轴法的适用频率范围有指导意义.

摘要： 针对高速覆铜板开发所要解决的开发方向、产品性能定位、技术路线及原材料的选择、应用,本文提出了当前在全球高速覆铜板制造业,在围绕着高速覆铜板降低插损所表现出的技术发展的新特点,并重点讨论了不同传输损耗等级的高速覆铜板的Df值与其PCB插入损耗特性的对应关系.

摘要： 中心实验室，经历了近二十年的发展，是目前国内规模最大的CCL专业实验室，检测实验室建筑面积达2000平方米，本文对国家工程中心测试项目与能力进行了研究，重点对常规性能测试，环境及可靠性性能测试，介电性能测试，插入损耗性能测试，PIM测试，以及检测方法开发进行了研究。

摘要： 应用于通信领域的射频同轴电缆向高频发展的趋势日益明显,性能稳定的高频同轴电缆是占领市场的关键.射频同轴电缆的关键性能指标包括电压驻波比、衰减（插入损耗）、相位一致性、传播速率、互调等.本文从射频同轴电缆设计、生产加工、检测、使用等过程中,对电缆的主要性能有影响的因素进行探讨和分析,有助于高频同轴电缆性能的提升.

摘要： 本文简述了铁氧体圆极化器的工作原理,设计了一款工作于S波段,相对带宽14％的小型化铁氧体圆极化器,通过在波导腔体内填充高介电常数介质和窄缝磁耦合的方法实现了器件的小型化,实测结果表明插入损耗(含波导同轴转换)优于-0.7dB,边频轴比优于1.6dB,驻波小于1.3.

摘要： 接触件端面的污染和划痕在光纤连接器的生产和使用过程中是不可避免的,这些缺陷影响了光纤连接器的插入损耗和回波损耗.本文介绍了近年来国外研究者在此领域所取得的研究成果,对这些成果的理解和运用有助于国内的生产商和用户明确光纤接触件端面的控制和使用要求.

摘要： 本文介绍了一款频段44GHz～46GHz,采用对极鳍线微带过渡结构的功率放大器设计方法.本文对对极鳍线微带过渡结构进行模拟仿真并测试背靠背结构的插入损耗,其插入损耗在44GHz～46GHz频段内小于2dB.电路设计中采用金丝键合工艺连接裸片与微带电路,并用HFSS对其进行仿真.选用2W裸片进行装配,测试结果表明在44GHz～46GHz频段内,饱和功率输出1.3W以上,增益大于13dB,效率在8％以上.以此模块为基本单元电路,利用功率合成技术完成Q波段高功率放大器单机的设计.

摘要： 设计了一款跨X-Ku波段,相对带宽58％的双环铁氧体移相器.整个工作带宽内无损耗峰出现,用三级转换器对压缩脊波导进行匹配,可实现反射损耗小于-20dB,差相移频散计算值约23°.并且通过实验,初步实现了一定性能的移相器的开发.

摘要： 设计了一款跨X-Ku波段,相对带宽58％的双环铁氧体移相器.整个工作带宽内无损耗峰出现,用三级转换器对压缩脊波导进行匹配,可实现反射损耗小于-20dB,差相移频散计算值约23°.并且通过实验,初步实现了一定性能的移相器的开发.

摘要： 提供了包括接纳通信线缆的导体的壳体的通信插头。印刷电路板至少部分地安装在壳体内。多个插头触点位于印刷电路板上，并且印刷电路板包括多条导电路径，这些导电路径将导体中的相应导体电连接到插头触点中的相应插头触点。导电路径中的第一导电路径和第二导电路径被布置为导电路径的第一差分对，其包括通过通信插头的第一差分传输线的一部分，其中第一差分传输线包括在其中第一差分传输线的阻抗改变至少20％的第一过渡区域以及在其中第一差分传输线的阻抗改变至少20％的第二过渡区域。

摘要： 提供了包括接纳通信线缆的导体的壳体的通信插头。印刷电路板至少部分地安装在壳体内。多个插头触点位于印刷电路板上，并且印刷电路板包括多条导电路径，这些导电路径将导体中的相应导体电连接到插头触点中的相应插头触点。导电路径中的第一导电路径和第二导电路径被布置为导电路径的第一差分对，其包括通过通信插头的第一差分传输线的一部分，其中第一差分传输线包括在其中第一差分传输线的阻抗改变至少20％的第一过渡区域以及在其中第一差分传输线的阻抗改变至少20％的第二过渡区域。

摘要： 本发明公开了一种光插入损耗和光回波损耗的动态修正装置及方法，包括激光器组、2×1光波分复用器、1×2光耦合器、2×1光耦合器、光电探测器组和功率检测模块；激光器组的任一激光器的输出端均经2×1光波分复用器耦合到1×2光耦合器输入端；1×2光耦合器的A分支与第二光电探测器连接，B分支与2×1光耦合器的C分支连接，2×1光耦合器的D分支与第一光电探测器连接，E分支连接到该装置的光纤输出端口，功率检测模块输入端口为该装置的光纤输入端口；所述1×2光耦合器的分光比为小于等于10：90，2×1光耦合器的分光比为50：50。本发明的有益效果是：尽可能去除激光器因工作时间延长和环境温湿度变化带来的误差，光插入损耗和光回波损耗修正值更接近光插入损耗和光回波损耗真实值。

摘要： 本发明涉及用以将装置插入半刚性同轴传输线中的最小化侵入极低插入损耗的技术。一种信号调节设备可包括具有形成在其中的至少一个槽的同轴电缆。导电膜可施加到同轴电缆以便覆盖每个槽。装置安装表面可形成在槽内，且保护装置可安装在装置安装表面上。由一个或多个可联锁部分组成的壳体可联接到同轴电缆。

摘要： 本发明公开了一种光插入损耗和光回波损耗的动态修正装置及方法，包括激光器组、2×1光波分复用器、1×2光耦合器、2×1光耦合器、光电探测器组和功率检测模块；激光器组的任一激光器的输出端均经2×1光波分复用器耦合到1×2光耦合器输入端；1×2光耦合器的A分支与第二光电探测器连接，B分支与2×1光耦合器的C分支连接，2×1光耦合器的D分支与第一光电探测器连接，E分支连接到该装置的光纤输出端口，功率检测模块输入端口为该装置的光纤输入端口；所述1×2光耦合器的分光比为小于等于10：90，2×1光耦合器的分光比为50：50。本发明的有益效果是：尽可能去除激光器因工作时间延长和环境温湿度变化带来的误差，光插入损耗和光回波损耗修正值更接近光插入损耗和光回波损耗真实值。

摘要： 本发明涉及用以将装置插入半刚性同轴传输线中的最小化侵入极低插入损耗的技术。一种信号调节设备可包括具有形成在其中的至少一个槽的同轴电缆。导电膜可施加到同轴电缆以便覆盖每个槽。装置安装表面可形成在槽内，且保护装置可安装在装置安装表面上。由一个或多个可联锁部分组成的壳体可联接到同轴电缆。

摘要： 本发明属于微波传输线技术领域，具体提供一种具有低插入损耗的耦合型波导微带过渡结构，用以满足过渡结构存在的减少辐射损耗的需求。本发明包括：从下往上依次层叠设置的下层矩形金属波导1、中间过渡层2、接地金属板3、上层介质板4及矩形金属贴片，通过在上层介质板的上表面引入矩形金属贴片，大大提高了耦合能量的同时显著降低了辐射能量，进而显著改善了从波导到微带线的传输系数、也保持了良好的端口反射特性；同时，巧妙地运用短路探针，在矩形金属贴片效果的同时，抵消了其带来的阻抗失配的影响，实现了阻抗匹配；并且，本发明相较于现有技术，结构简单、加工难度低，易于实现工业化生产。

摘要： 本发明提供的是一种基于石墨烯的低插入损耗银微米柱增强型光纤光强调制器。其特征是：它由双芯光纤1、输入端口耦合器2‑1和输出端口耦合器2‑2、过渡材料氧化铝薄膜3、沉积于抛磨光纤表面的石墨烯层4‑1以及沉积在氧化铝薄膜表面的石墨烯层4‑2、与微光纤同等半径的银微米柱5、首尾放置的分别与下上层石墨烯接触的电极材料6‑1、6‑2组成。石墨烯材料的介电常数随外接电压的改变而改变，由于银微米棒的增强效果，在仅需低于0.2V的外接电压下即可实现调制器的大线性范围有效折射率变化并在0‑π之间改变两束光的传输相位差，最终通过耦合原理实现光强的线性调制。本发明可广泛用于双端口的连续光强调制以及光纤传感领域。

摘要： 本发明提供一种QFN封装外壳插入损耗测试方法，在QFN封装外壳的加工版图上提取复制两次高频I/O传输线的图形和结构并设计测试陪片，使两个高频I/O传输线的图形和结构互为镜像进行串联；将测试陪片与QFN封装外壳采用同样的材料工艺且同版图同批次进行加工制作；使用插入损耗数值检测仪器通过连接组件分别连接制作好的测试陪片上的传输线的两端进行插入损耗值检测；再将插入损耗检测值除以2得到单个QFN封装外壳的高频I/O传输线的插入损耗数值。本发明利用QFN封装外壳整版阵列批量生产的工艺特点和两根同质传输线串联插入损耗翻倍的特性，复制两次QFN封装外壳的高频I/O传输线并镜像串联制作成测试陪片，以其作为插入损耗的测试样本，无需引入其他结构，对QFN封装外壳产品本身不造成损伤，能够实现高精度的批量测试。

摘要： 本实用新型涉及电子测试与测量技术领域，具体涉及一种引线型滤波器插入损耗测试的夹具。包括：网络分析仪、滤波器放置座、引线导向座、电路放置座和测试电路板；测试电路板放置在电路放置座内，测试电路板与网络分析仪连接；引线导向座和滤波器放置座按照第一距离设置，引线导向座和电路放置座按照第二距离设置；引线导向座包括两个引线导向板和两个插板，引线导向板上设置有若干个插槽，插槽位于引线导向板的内表面且呈直线型设置，两个引线导向板相对设置，插板插入到插槽内。本实用新型的设计，适用于各种型号的引线型滤波器，并可快速实现的对差模、共模测试进行切换，操作方便，提高了产品测试的精准度和测试效率。