残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响

刘如彬; 孙强; 王帅; 李慧; 张启明

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残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响

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由于晶格失配太阳电池中存在残留应变,1.0 eV InGaAs子电池和0.7 eV InGaAs子电池的带隙不再固定地对应于单一In组份,而是与In组份和残留应变都有关系.从实验和理论上研究了残留应变对晶格失配太阳电池带隙的影响,计算了不同应变和组份的InGaAs电池的等带隙分布线,并讨论了残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响.

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来源
《电源技术》|2015年第5期|947-949|共3页
作者
刘如彬; 孙强; 王帅; 李慧; 张启明;
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作者单位

中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384;

中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384;

中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384;

中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384;

中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384;

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正文语种 chi
中图分类太阳能电池;
关键词
晶格失配; 太阳电池; 残留应变; 电池设计;

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