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竹有章; 陈光德; 谢伦军; 唐远河; 邱复生;
西安交通大学理学院,应用物理系,陕西,西安,710049;
第二炮兵工程学院,物理教研室,陕西,西安,710025;
InGaN; 光致发光; F-P腔; 受激辐射; 折射率;
机译:MOCVD生长的InGaN / GaN量子阱的阴极发光特性
机译:通过MOCVD生长的高含量InGaN合金的特性
机译:MOCVD生长的高In含量InGaN合金的特性
机译:Ga(Al)N / Ingan / Ga(Al)N-异质结构的MOCVD生长:缓冲层Al浓度和生长持续时间对Ingan掺入的影响
机译:高压MOCVD反应器中InGaN材料和器件结构的生长
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:mOCVD生长InGaN弹性体和InGaN / GaN量子阱中异常温度相关发射偏移的载流子动力学
机译:通过金属有机化学气相沉积(mOCVD)生长富InGaN量子点(QD)
机译:生长Ingan的方法和Mogan生长的MOCVD设备
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
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