MOCVD生长InGaN薄膜的光致发光特性

摘要

InGaN薄膜是研制空间用全光谱高效率多结太阳电池的理想材料之一,本文实验研究了MOCVD技术生长InGaN薄膜的表面形貌和光致发光特性,结果发现MOCVD生长In0.2Ga0.8N薄膜表面出现不同In含量不同粒度形成的岛状微结构.光致发光实验发现In富量子点的辐射复合跃迁光谱,光致发光激发光谱观察到In0.2Ga0.8N和GaN的带边吸收峰以及不同尺度的In富量子点吸收峰.结果表明,控制生长条件可实现InGaN薄膜的S-K模式生长自组织量子点,这对于研发全光谱InGaN量子点p-i-n结构太阳电池具有一定的参考价值.