MOCVD成長GaN薄膜の結晶性の成長圧力依存性

摘要

MOCVD法によって成長圧力を100Torrから300Torrまで変えて，GaN薄膜を成長させた場合の成長圧力が結晶性に与える影響を調べた。 その結果，成長圧力を下げると島の大きさが小さくなり，できる貫通転位が増大し，成長圧力を上げると島の大きさが大きくなり，できる貫通転位が減少することがわかった。 また，表面抵抗値は成長圧力に依存している。 すなわち，100Torrで作製した試料の表面抵抗値は，300Torのものよりも5桁高くなった。