宽温区（27—300℃）MOS器件高温特性的模拟

摘要

本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７－３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特特性，而且模拟和结果基本相符。