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硅体费米势在(300～600K)宽温区温度特性的研究

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本文首先简要分析了 MOSFET阈值电压随温度的变化率,讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素--体费米势的温度特性,最后给出了一种比较精确的线性拟合模型,并进行了模拟验证.

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来源
《电子器件》 |2001年第4期|314-317|共4页
作者
杨国勇; 宋安飞; 冯耀兰;
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作者单位

东南大学微电子中心,;

东南大学微电子中心,;

东南大学微电子中心,;

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正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
体费米势; 温度特性; 模型;

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