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亚微米门阵列ASIC中地弹噪声降低技术

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由封装电感引起的地弹效应对亚微米门阵列ASIC电路的影响,对门阵列母片的结构和应用情况进行了分析,在逻辑设计、库单元设计、库单元结构、门阵列结构等方面提出了多种改进方法来抑制地弹噪声,并将这些改时方法应用在乘法器电路的改版设计中,取得了非常好的效果

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来源
《电子器件》 |2006年第2期|413-415|共3页
作者
韩磊; 张丹华; 于宗光;
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作者单位

中国电子科技集团公司第五十八所,江苏,无锡,214035;

清华大学电子工程系,北京,100084;

中国电子科技集团公司第五十八所,江苏,无锡,214035;

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正文语种 chi
中图分类膜集成电路;数字电路;
关键词
门阵列; 专用集成电路; 地弹效应; 降低;

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