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亚微米ASIC电路抗ESD设计技术

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本文介绍了亚微米电路抗静电的主要机理及其解决办法,并提出一套行之有效的实现措施,同时也给出了其实验结果.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|477-481|共5页
会议地点昆明
作者
王隆望;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类专用集成电路;设计;
关键词
ESD注入; 失效机理; 专用集成电路; 抗静电; 设计技术;

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