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王红义; 来新泉; 李玉山; 陈富吉;
西安电子科技大学,电路CAD研究所,西安,710071;
带隙基准; 温度系数; 曲率校正; 二次曲线;
机译:采用0.35μmCMOS工艺的紧凑型曲率校正带隙基准
机译:采用恒流技术的高阶曲率校正CMOS带隙基准电压源
机译:采用0.5μμmCMOS工艺的1.2V分段曲率校正带隙基准
机译:5.9ppm /°C分段曲线校正的180nm CMOS工艺中的启动免费带隙基准电压源的设计
机译:一款精确,无扰动,高PSRR,低压,CMOS带隙基准IC。
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:改进分段曲率校正的CMOS带隙基准
机译:用于单片带隙基准和温度传感器的双极晶体管
机译:带隙基准电压源采用标准cmos工艺采用表面下电流
机译:带隙基准电压源采用标准cmos工艺采用次表面电流
机译:采用电流求和架构的低电源电压BICMOS自偏置带隙基准
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