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一种低压分段线性曲率校正CMOS带隙基准源设计

         

摘要

在传统低压带隙基准的基础上,通过设计与热力学温度成正比的电流(IPTAT)及与热力学温度呈互补关系的电流(ICTAT),实现节点电流相减,从而产生分段线性电流作为基准源的曲率校正分量,设计了一个性能更佳的曲率校正带隙基准。电路采用低压运放及低压PTAT电流产生模块,工作电压低。Cadence仿真结果显示,在-40~125℃温度范围内,平均温度系数大约3×10-6℃-1,最低工作电压在1V左右,可用于低电源电压、高精度的集成芯片。%Based on the traditional low supply voltage bandgap reference, by designing current proportional to absolute temperature(IPTAT)and current complementary to absolute temperature(ICTAT)which are subtracted from one another, a piecewise linear current is achieved and used as the curvature correction component. Thus, a better performance curvature corrected bandgap reference is proposed. The circuits use low-voltage ampliifer and low-voltage IPTAT generator, so the operation voltage is low. Simulation results with Cadence indicate that the bandgap reference has an average temperature coefifcient of 3×10-6℃ -1 within a temperature range between-40~125℃centigrade, and the power supply is as low as 1 V, the circuits can be used in low power supply and high-precision SOCs.

著录项

  • 来源
    《电子与封装》 |2014年第9期|36-39|共4页
  • 作者

    陈涛; 胡利志; 乔明;

  • 作者单位

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

    成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

    成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

    成都610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 场效应型;
  • 关键词

    带隙基准; 曲率校正; 温度系数;

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