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一次编程(OTP)存储器的数据保持特性工艺研究

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摘要

对0.5μm叠柵一次编程(OTP)存储器工艺进行研究,通过选择介质(ONO)工艺条件,选择合适单元尺寸,增加(SIN)保护,优化单元侧面工艺等,使得存储单元在250℃高温24h加速老化后写入阈电压漂移小于10%,嵌入式OTP产品(64k*8位)可靠性评估存储器的数据保持能力大于十年.

著录项

来源
《电子器件》|2007年第2期|395-397|共3页
作者
房世林; 李月影; 何永华;
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作者单位

东南大学集成电路学院,南京,210096;

华润上华科技有限公司,江苏,无锡,214061;

华润上华科技有限公司,江苏,无锡,214061;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类存贮器;半导体集成电路（固体电路）;
关键词
叠柵; OTP; 数据保持; 嵌入式;

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