机译:研究硅纳米线击穿特性以实现一次性可编程存储器
Dipartimento di Ingegneria della Informazione. Universitd di Pisa, Via C. Caruso. 1-56122 Pisa, Italy;
Dipartimento di Ingegneria della Informazione. Universitd di Pisa, Via C. Caruso. 1-56122 Pisa, Italy;
lElFT-PlSA, CNR, Via C. Caruso 16, 56122 Pisa. Italy;
机译:用于高压,绝缘体技术的ESD保护的一次性可编程存储器前端电路
机译:具有硅纳米晶体非易失性存储器的p沟道和n沟道无结全栅多晶硅纳米线的研究
机译:具有硅纳米晶体非易失性存储器的p沟道和n沟道无结全栅多晶硅纳米线的研究
机译:基于介电击穿机构的垂直堆叠新颖的一次性可编程非易失性存储器件
机译:硅/硅锗锗异质结构中的高迁移率二维电子:实现和传输性质。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件,使用p型硅纳米线通道
机译:硅/ ag对准纳米线阵列的双曲和等离子体特性。