考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究

摘要

碳化硅(SiC)MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性,使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象,提出了“预偏置+测量”组合的测量方法,一共需要测量两次阈值电压,以确定阈值电压漂移的上下限,并以其平均值定义为阈值电压。然后设计实验测量电路,对某型号SiC MOSFET器件在不同预偏置条件下进行实验测量,分析预偏置电压和脉冲持续时间对测量结果的影响,结果表明合理选择预偏置阶段的实验条件可以确保弛豫效应达到饱和,并可得到重复性的阈值电压测量结果。