阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长

摘要

尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料-阳极氧化铝.在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火,然后进行GaN外延生长.对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析,并将得到的GaN材料制备成光导型的紫外光电探测器,器件在330～380nm紫外光区域有明显响应,最高响应度为3.5A/W(5V偏压).