硅外延双层结构的厚度测量

摘要

硅外延是一种在高温环境下通过气相学化学反应,在已经被进行过抛光处理的硅单晶片上生长出一层或是多层硅单层薄膜的物质,技术处理人员为了获得不同性质的硅晶片,可以通过技术处理让硅外延的电阻通过率进行控制.这种电子使用材料在大功率器件的产品中领域中拥有广阔的使用范围.文章针对硅外延的外层厚度测量进行了技术分析,望得到的结论可以给相关工作人员带来帮助.