靶功率和基体偏压对BCN薄膜成分及结构的影响

摘要

利用直流磁控溅射技术制备了三元硼碳氮(BCN)薄膜,通过改变靶功率(70 W和210 W)和基体偏压(-50V～-400 V)得到不同成分和组织结构的薄膜。采用X射线光电子能谱仪和傅立叶红外光谱仪分析了薄膜的成分和结构。结果表明:靶功率增加使得薄膜成分发生改变,而基体偏压改变对薄膜中各元素的原子百分含量几乎没有影响;基体偏压的增加会引起高能粒子对基体的轰击作用增强,有利于薄膜中B-N键的形成,而且轰击能量越高越有利于sp^3杂化的B-N键形成。