磁控溅射法制备硅纳米晶体及其光电特性研究

摘要

本文介绍了以高纯硅为靶材,利用直流磁控溅射法在P型硅(111)衬底上生长硅纳米晶体薄膜,并在600摄氏度温度下退火处理.应用扫描电镜观察发现制备的硅纳米晶体粒度均匀,薄膜粗糙度小.X射线衍射仪分析发现硅纳米晶体具有(201)晶面取向生长的特点.与块体材料相比,硅纳米晶体不仅具有良好的电学性能,还具有良好的光学性能,其吸收谱包含本征、激子和自由载流子等丰富的吸收峰.