纳米线硅制备及其光电特性研究

目录

摘要

1绪论

1．1引言

1．2硅纳米材料器件研究进展

1．3研究内容

1．4论文安排

2硅基纳米材料制备及非平衡杂质的选择

2．1硅基纳米材制备

2．1．1激光烧烛法

2．1．2飞秒激光脉冲法

2．1．3热蒸发氧化辅助法

2．1．4化学气相淀积法

2．1．5电化学法

2．1．6金属辅助刻蚀法

2．1．7模板法

2．2非平衡掺杂剂的选择

2．3方案确定

2．4本章小结

3纳米线硅材料制备及光学特征

3．1 MACE法制备纳米线硅

3．2 MACE方法中纳米线硅形貌的调控

3．2．1镀银时间

3．2．2刻蚀时间

3．2．3反应温度

3．2．4有无银纳米颗粒附着

3．3纳米线硅材料光吸收性能

3．4本章小结

4器件结构设计及光电性能测试

4．1纳米线硅光电探测器件制备

4．1．1电极的制备

4．1．2器件结构制备

4．2光电探测器主要性能参数

4．3测试方法

4．4光电特性测试结果

4．4．1光谱响应范围

4．4．2器件响应度R和增益因子η

4．4．3不同电压下光增益趋势

4．4．4电流-电压特性(Ⅰ-Ⅴ特性)

4．4．5线性动态范围(LDR)

4．4．6器件开关比

4．4．7器件响应时间

4．4．8-3dB带宽(BW)

4．5本章小结

5纳米线硅基光电探测器增益机制

5．1零偏压下的器件响应特性

5．2红外响应特性

5．2．1缺陷能级

5．2．2银纳米颗粒

5．3退火工艺对器件的影响

5．3．1正反向偏压下器件响应

5．3．2零偏压下器件响应特性

5．4本章小结

6总结与展望

6．1结论

6．2展望

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文及成果

致谢

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