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唐培松; 姚荣; 王智杰;
上海高性能集成电路设计中心;
静态时序分析; 高精度; 时序收敛周期; 动态电压降反标;
机译:使用基于路径的静态时序分析(STA)技术的门级双阈值静态功率优化方法(GDSPOM)用于SOC应用
机译:纳米级CMOS电路中晶体管级静态时序分析的图形建模
机译:使用基于路径的静态时序分析(STA)技术的门级双阈值静态功率优化方法(GDSPOM)
机译:映射到门级的经典和非经典CMOS晶体管故障模型的综合,用于基于硬件的可重构故障注入
机译:基于石墨烯的纳米级真空通道晶体管
机译:基于晶体管级门模型的考虑相关性的统计时序分析
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机译:晶体管异或电路-初始级具有并联的晶体管路径,输出级具有两个串联的晶体管
机译:形成微米级和纳米级图案的方法以及制备微米级和纳米级沟道晶体管的方法,以及使用该方法的微米级和纳米级沟道发光晶体管
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