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薛忠杰;
无锡微电子科研中心;
平均延迟时间; 经验模型; 门电路; 晶体管; 反相器; 负载电容; 非饱和区; 分析模型; 电源电压; 传输延迟时间;
机译:基于新型解析延迟时间模型的低压BiCMOS延迟时间退化评估
机译:适用于采用低压BiCMOS技术的VLSI的1.5 V全摆幅BiCMOS动态逻辑门电路
机译:统计变异性对纳米CMOS技术中传播延迟时间紧凑模型准确性的影响分析
机译:用于精确计算GaAs和CMOS技术中传播延迟时间的宏模型
机译:使用基于VHDL的技术估算数字CMOS电路中的动态泄漏功率。
机译:具有实际门延迟模型的CMOS组合逻辑电路的准确动态功率估算
机译:大型数字CMOS电路延迟时间估计模型
机译:基于Gps的各种数据延迟时间可降水量估算的评估
机译:使用双绝缘栅场效应晶体管,SRAM单元电路,多输入CMOS门电路,CMOS-SRAM单元电路和集成电路的门电路
机译:结合电化学固态浓度模型和经验等效电路模型的电池状态估算器
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