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一种亚阈型自举带隙基准电压源的设计

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采用TSMC 0.35um CMOS工艺,基于对传统带隙基准电路的分析,利用MOS管的亚阈特性,设计了一种低压低功耗的带自举的带隙基准电压源.最后的HSPICE仿真结果表明了该电路具有较低的工作电压,较低的功耗和较低的温度系数.

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来源
《中国集成电路》 |2008年第6期|51-54,66|共5页
作者
黄世震; 刘春炜; 林伟;
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作者单位

福州大学福建省微电子集成电路重点实验室,福建,福州,300052;

福州大学福建省微电子集成电路重点实验室,福建,福州,300052;

福州大学福建省微电子集成电路重点实验室,福建,福州,300052;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
带隙; 基准电压; 亚阈区; 自举;

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