自举

摘要： 全同态加密算法可以实现密文状态下的数据运算,是解决数据隐私保护的主要技术之一.由于密文的噪音规模会随着运算增大,必须在噪音增大到一定规模之前进行噪音消减操作以保证密文可以正确解密,这一操作被称为自举操作.在目前的设计蓝图中,自举操作是实现全同态加密的核心技术,也是算法计算性能的瓶颈,阻碍了全同态加密算法的产业化应用.本文从自举的技术挑战入手,系统全面地分析了自举技术的现有解决思路和未来发展趋势.

摘要： 唐代的取士制度主要有常科和制举两大系统,这两大系统通常都离不开举荐环节。制举由天子下诏,内外官举荐,不定期举行,旨在选拔“非常之才”。内外官的举荐,可称“他荐”,学者于此多有论及;他荐之外,还有自荐,亦即“自举”,学者于此却很少注意。实际上自举也是制举的必备条件之一,众多文士亲历其事,并因此产生大量的文学作品,也是“取士文学”的重要构成部分,本文拟就此略作考述,并求教于方家学者。

摘要： 关系抽取是信息抽取中的一项重要任务.在处理问答对形式的文本时,除了文本中实体间的关系抽取之外,作为连接问句与答句之间关系的提问模式同样需要抽取.通过有监督的标注算法(条件随机场)与基于模板元组自举的半监督算法的结合在抽取实体间关系时有不错的表现,但传统半监督中发现句式模板的方式难以迁移到提问模式抽取中.针对这种情况,通过引入句向量计算文本相似度并选取句式模板,提出一种基于sen-tence2vec技术与半监督算法结合的模型.对于最终实验,采用随机抽样进行验证.实验结果表明,相较于传统的半监督算法,该方法得到了更高的准确率和召回率.

摘要： 对自举武功率驱动器IR2110的功能与结构进行了简单介绍,详细分析了其高边自举电路的结构原理及工作方式.对自举电容、自举二极管及功率MOS管等自举电路构成元件的选取方法与原则进行了介绍,经公式推导并结合项目经验给出了自举电容的最小值,计算了电路中高边功率MOS管的最大导通时间,并给出自举二极管的选择条件.利用IR2110搭建了一个直流电机调速驱动电路,成功实现了利用自举电路对直流电机进行调速.

摘要： 针对永磁直流无刷电机(BLDCM),利用自举原理实现电机驱动,通过电机位置传感器进行换相,常规的换相方法造成电机无法自启动.为了解决上述问题,结合直流无刷电机换相特点和驱动电路本身特性,重点研究自举驱动的原理,分析电机无法自启动的原因,并找出解决方法,给出在自举电路的驱动下,直流无刷电机自启动的驱动波形.结果表明,该方法实现了直流无刷电机的自启动,且对电机的正常运行不产生影响.

摘要： 介绍了一种基于自举电路的可调恒压恒流源的设计.解决了使用普通运算放大器调整较高输出电压的问题.在输出电压在较大范围变化时,通过自举的方法保证运算放大器的供电电压不变,并且能够对输出电压和电流进行有效地调整,实现了0~30V的电压输出和0~1A的电流输出.%Introduced a method of using the bootstrap to design an adjustable constant voltage and current source.Solved the problem of using the ordinary op-amp in high output voltage adjustment.Using the bootstrap method can ensure constant supply voltage of operational amplifier when the output voltage changes in a wide range, and output voltage and current can be effectively adjusted to achieve a 0 ~ 30V voltage output and 0 ~ 1A Current output.

摘要： 半监督或无监督的事件抽取方法在目前依旧是一个具有挑战性的课题.针对中文本身在表述中存在的固有特点,该文提出一种基于双视图的事件抽取自举学习方法.该方法以少量种子为基础,从文档相关度与语义相似度两个视图出发,进行交互过滤筛选,不断抽取新的有效事件模板,为事件抽取服务.在ACE2005中文语料上的测试表明,和现有方法相比,该方法可以有效地提高中文信息事件抽取系统的性能.

摘要： 针对医学领域采用自举进行关系抽取的研究较少且国内面向医学领域的基础工具缺失问题,在一般自然语言处理技术的基础上,采用自举的算法框架,以最短依存路径构建关系模式,在过滤机制中引入候选实体的正向性评价,介绍新的算法优化策略,通过试验评价系统的性能,总结本研究的贡献与局限.

摘要： 一种集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路。自举结构包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底、兼做漂移区的第二掺杂类型漂移区及兼做衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱，在第一掺杂类型衬底接触阱内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区，在第二掺杂类型漂移区上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区内的一个第二掺杂类型接触区，自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区内的另一个第二掺杂类型接触区，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区相邻。自举电路包括自举结构和自举电容，在自举结构正电极上连接有二极管，自举电容与自举结构负电极连接。

摘要： 本发明提供一种自举开关的自举电压产生电路，包括控制单元、第一充放电单元、第二充放电单元、电流镜和第一至第五开关，其中电流镜中导通器件之间通过第一开关连接，电流镜输出侧的接地端通过第二开关接地且通过第三开关连接外置电压，电流镜的输入端和输出端都连接外置电压，且导通器件的连接节点通过第二充放电单元连接电平信号；第一充放电单元的一端通过第三开关连接外置电压，通过第二开关接地，且用于输出自举电压；另一端通过第四开关接地且通过第五开关连接输入电压；控制单元用于控制各个开关的开合，并调整电平信号。通过本发明可以提高自举电压产生电路的充电速度，并减小版本面积和功耗。

摘要： 本发明提供一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法，所述自举电路包括：驱动电路、结型场效应晶体管、自举电容、高边晶体管、以及低边晶体管；所述驱动电路的第一输出端连接于所述高边晶体管的栅极、第二输出端连接于所述低边晶体管的栅极、第三输出端连接于所述高边晶体管的栅极的源极、低边晶体管的漏极、负载、以及自举电容的第一端；所述结型场效应晶体管集成于所述驱动电路，其栅极连接于所述驱动电路以输入逻辑信号，源极连接于驱动电源，漏极连接于所述自举电容的第二端。本发明将结型场效应晶体管集成于驱动电路，可以有效减少整个系统的元件数目，降低电路的复杂程度，提高器件的集成度。

摘要： 本发明公开了一种栅压自举异或/同或电路及与求和信号产生电路和进位信号产生电路共同组成的栅压自举一位全加器，特点是栅压自举异或/同或电路包括栅压自举同或产生电路和反相器，其中栅压自举同或产生电路由第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管通过特殊的连接方式组成；优点是将异或/同或电路连接成栅压自举电路结构，通过栅极自举效应，提高了第三NMOS管或第四NMOS管的栅极电压，进而使高电平顺利通过第一NMOS管或第二NMOS管，电路输出达到全摆幅，提高了驱动下一级的能力，增大了整体电路的运行速度；全摆幅降低了电路的漏功耗，提高了电路的性能，最终有效地降低了整体电路的延时、功耗及功耗‑延时积。

摘要： 本发明涉及一种基于负电压自举电容的互补型自举开关及工作方法，包括NMOS采样开关控制部分和PMOS采样开关控制部分，其中：NMOS采样开关控制部分包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管包括M3、M4、M5、M6、M7、M9、M10和M13，所述第一PMOS晶体管包括M1、M2、M8、M11和M12；本发明采用开关由NMOS晶体管和PMOS晶体管构成，减小了沟道电荷注入效应；在关键节点引入自举电容，减小MOS晶体管的宽长比，进而减小寄生电容。在高速采样频率下提升了自举开关的性能。

摘要： 一种集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路。自举结构包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底、兼做漂移区的第二掺杂类型漂移区及兼做衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱，在第一掺杂类型衬底接触阱内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区，在第二掺杂类型漂移区上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区内的一个第二掺杂类型接触区，自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区内的另一个第二掺杂类型接触区，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区相邻。自举电路包括自举结构和自举电容，在自举结构正电极上连接有二极管，自举电容与自举结构负电极连接。

摘要： 本发明公开了一种自举驱动电路、同步整流自举控制电路，其中，该自举驱动电路包括：PWM信号输入端，用于接收输入的PWM控制信号；放大电路，与PWM信号输入端连接，并输出于第一节点，其中，第一节点用于与第一晶体管栅极连接，以控制第一晶体管导通与否；互补开通控制电路，输入端连接于第一节点，输出端连接于第二节点，用于控制第二晶体管与第一晶体管互补开通，其中，第二节点用于与第二晶体管栅极连接，以控制第二晶体管导通与否。本发明解决了现有技术中同步整流驱动电路中对两个电位不相同的晶体管驱动设计复杂的问题，减少了电路元器件数量，节约了成本。

摘要： 本披露的示例性实施例涉及一种自举模块以及利用所述自举模块补偿弱高情况的逻辑电路。所述自举模块可以使用具有与在所述逻辑电路中所利用的晶体管的沟道类型相同的单沟道类型的晶体管来实现，从而使得可以实现真正单极性电路，同时解决这种单极性电路的弱高问题。

摘要： 本实用新型公开了一种自举驱动电路、同步整流自举控制电路，其中，该自举驱动电路包括：PWM信号输入端，用于接收输入的PWM控制信号；放大电路，与PWM信号输入端连接，并输出于第一节点，其中，第一节点用于与第一晶体管栅极连接，以控制第一晶体管导通与否；互补开通控制电路，输入端连接于第一节点，输出端连接于第二节点，用于控制第二晶体管与第一晶体管互补开通，其中，第二节点用于与第二晶体管栅极连接，以控制第二晶体管导通与否。本实用新型解决了现有技术中同步整流驱动电路中对两个电位不相同的晶体管驱动设计复杂的问题，减少了电路元器件数量，节约了成本。

摘要： 本实用新型实施方式涉及电机驱动技术领域，尤其涉及一种自举驱动电路、自举驱动系统以及无刷直流电机。该自举驱动电路包括上桥臂驱动电路，下桥臂驱动电路，升压电路，逻辑电路，该逻辑电路用于向所述上桥臂驱动电路输出第一逻辑电平以及向所述下桥臂驱动电路输出第二逻辑电平，其中，所述第一逻辑电平和所述第二逻辑电平不能同时导通第一开关管和第二开关管。通过上述方式，本实用新型实施方式能确保自举驱动电路中与上、下桥臂驱动电路连接的开关器件不会同时导通，避免了控制驱动电路的控制信号出现逻辑错乱而导致系统的供电电源短路并烧毁整个电路的情况，使得整个自举驱动电路更加安全。