轰击离子能量对CNx薄膜中sp3 型C-N键含量的影响

摘要

对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜样品的化学键合及结构进行了研究. 利用不同的衬底负偏压(Vb)来控制轰击衬底表面的入射离子能量, 从而影响膜中的化学键合的状态. 样品的FTIR, Raman和XPS分析结果表明, CNx薄膜中N原子分别与sp, sp2和sp3杂化状态的C原子结合, 其中sp3型C-N键含量先随着衬底偏压(Vb)的升高而增加, 并在偏压Vb=-50 V时达到最大值, 但随着Vb继续升高, sp3型C-N键含量减少. 这表明CNx薄膜中, sp3型C-N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关.