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星用典型CMOS器件54HC0460Co源辐射效应研究

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摘要

给出了加固和非加固54HC04电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系.

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来源
《原子能科学技术》 |2000年第4期|334-338|共5页
作者
何宝平; 张正选; 郭红霞; 姜景和;
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作者单位

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;射线与物质的相互作用;
关键词
辐射效应; 阈值电压; 总剂量; 剂量率;

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