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非加固CMOS器件54HC04<'90>Sr-<'90>Y源辐射效应研究

摘要

该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用<'90>Sr-<'90>Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续辐照状态下的效应数据。研究结果:非加固的54HC04的抗辐射水平在1-3×10<'2>Gy。

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