磁控溅射沉积含He纳米晶钛膜制备

摘要

采用直流磁控溅射方法,通过分别改变衬底温度及He分压来制备不同氦含量的钛膜.利用PBS、XRD、TEM及AFM分别对钛膜中的He含量、平均晶粒尺寸及膜的表面形貌进行分析.结果表明:在不同温度范围内,温度变化对所制备钛膜中He含量的影响明显不同;He含量与晶粒尺寸直接相关,氦原子进入钛膜后,抑制了晶粒的长大;随着钛膜中He与Ti的原子个数比由1.0%增加到11.9%,TEM测得的平均晶粒尺寸由约35 nm减小到约4 nm;选择合适的He分压,能够制备出He含量较高的氦钛膜.