摘要
Abstract
第一章 引言
1.1 研究背景及现状
1.1.1 金属中的氦行为和氦引入
1.1.2 薄膜沉积的计算机模拟
1.2 本文的主要内容
第二章 磁控溅射制备含He钛膜的研究
2.1 引言
2.1.1 薄膜中惰性气体包埋的研究历史
2.1.2 磁控溅射技术介绍
2.2 直流磁控溅射沉积含He钛膜
2.2.1 研究材料、工作气体和放电电压的选择
2.2.2 实验设备
2.3 溅射参数对薄膜中He浓度的影响
2.3.1 Ti膜中He含量的测定
2.3.2 He/Ar流速比对He浓度的影响
2.3.3 基底偏压对He浓度的影响
2.3.4 沉积温度对He浓度的影响
2.4 磁控溅射的引He理论分析
2.4.1 两种基本的微观理论
2.4.2 He-Ar混合气体磁控溅射引He理论分析
第三章 溅射薄膜沉积蒙特卡罗模拟
3.1 引言
3.2 薄膜沉积的理论基础
3.2.1 薄膜沉积的基本理论
3.2.2 影响薄膜沉积的主要因素
3.3 薄膜沉积的计算机模拟方法
3.3.1 几种常用的模拟方法和模型简述
3.3.2 模拟方法的比较及选择
3.3.3 动力学蒙特卡罗方法(KMC)
3.4 溅射薄膜沉积KMC模型的建立和实现
3.4.1 一些初步的假设
3.4.2 模拟过程
3.4.3 程序实现主要流程图
3.4.4 程序模拟的初步结果及分析
第四章 总结
参考文献
致谢
