电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化

吴锐; 王君玲; 凌云龙; 王荣

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电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化

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为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律.利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合,分别得到了GaInP顶电池及GaAs中间电池在不同辐照条件下的少子非辐射复合寿命τnr,通过对比辐照前后少子非辐射复合寿命的衰降变化,发现GaInP顶电池的抗辐照性能优于GaAs中间电池.

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来源
《原子能科学技术》 |2018年第8期|1507-1511|共5页
作者
吴锐; 王君玲; 凌云龙; 王荣;
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作者单位

北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

北京师范大学核科学与技术学院,北京 100875;

北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

北京师范大学核科学与技术学院,北京 100875;

北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

北京师范大学核科学与技术学院,北京 100875;

北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,北京100875;

北京师范大学核科学与技术学院,北京 100875;

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正文语种 chi
中图分类光电池;
关键词
电子辐照; GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池; 光致发光; 少子寿命;

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