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李俊炜; 王祖军; 石成英; 薛院院; 宁浩; 徐瑞; 焦仟丽; 贾同轩;
西安高科技研究所 西安 710025;
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西北核技术研究院 西安 710024;
湘潭大学材料科学与工程学院 湘潭 411105;
三结太阳电池; 辐照缺陷; 质子辐照模型; 数值模拟;
机译:24.5 MeV高能质子辐照三结GaInP_2 / InGaAs / Ge空间级太阳能电池的研究
机译:50 keV和100 keV质子辐照对GaInP / GaAs / Ge三结太阳能电池的影响
机译:等温退火恢复GaInP2 / GaAs / Ge三结太阳能电池中高能质子缺陷
机译:在质子能量中心为200 GeV的横向极化质子-质子碰撞产生的横向单自旋不对称性和包含的介子介子的不变截面的测量。
机译:使用中间子电池中的GaInP后表面场提高GaInP / GaInAs / Ge三结太阳能电池的抗辐射能力
机译:10MeV质子辐照对GAINP / GAAS / GE浓缩器太阳能电池及其组分子单元的辐照效应
机译:具有低应力变质底部结的倒置GaInp /(In)Gaas / InGaas三结太阳能电池:预印
机译:通过表观偏移和机械堆叠实现高效率和低成本的GaInP / GaAs / Si三重结
机译:通过晶片键合和层转移实现的GaInP / GaAs / Si三结太阳能电池
机译:通过晶圆键合和层转移实现GaInP / GaAs / Si三结太阳能电池
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