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MUIS多脉冲雪崩应力下的器件退化特性

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摘要

阐述Power MOSFET在多脉冲雪崩应力下的器件电参数退化和退化机制,提出了在半导体工艺制程中改善/延缓MUIS器件退化的方法,对国内集成电路尤其是汽车电子的应用具有参考意义.

著录项

来源
《集成电路应用》 |2021年第2期|14-15|共2页
作者
何荣华;
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作者单位

尼西半导体科技(上海)有限公司上海 201614;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
Power MOSFET; 多脉冲UIS; 器件退化; 集成电路; 汽车电子;

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