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机译:光学浮区技术生长的单晶LiFePO4中的离子和电子传输
机译:在1350摄氏度下,使用光学浮区技术和Bab2O4通量的光学浮区技术和生长前景,在2700摄氏度下从熔体的单晶生长。
机译:光学浮区法通过CExy3-XFE5O12单晶的晶体生长和表征
机译:通过光学浮区技术生长的单晶Lifepo4中的离子和电子传输
机译:浮区法生长的掺稀土Y3Al5O12单晶和透明陶瓷的光学性质
机译:浮区法生长的氧化亚铜晶体中的氧化铜夹杂物
机译:分层LU2FE3O7和LU3FE4O10的生长通过光学浮区法表现出远程充电顺序的单晶
机译:浮区法(m-3)生长半导体化合物单晶Insb
机译:通过浮区法生产的大型单晶使用绝缘组件或绝缘层来抑制加热线圈与多晶和生长块以及熔融区之间的电荷
机译:浮区法生长单晶
机译:浮区熔融法单晶生长装置
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